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硅碳棒使用說(shuō)明

更新時(shí)間:2018-05-26      瀏覽次數(shù):6044

硅碳棒使用說(shuō)明

 隨著工業(yè)發(fā)展的需求,硅碳棒的使用較為廣泛,由于硅碳棒使用溫度高,具有耐高溫、抗氧化、耐腐蝕、升溫快、壽命長(zhǎng)、高溫變形小、安裝維修方便等特點(diǎn),且有良好的化學(xué)穩(wěn)定性。在使用時(shí)硅碳棒使用須知有一下幾點(diǎn):

 1、硅碳棒使用前上應(yīng)先檢查右端部所標(biāo)高溫電阻值。如字跡不清,須重新測(cè)試。方法是將硅碳棒通電加熱升溫到1000-1100℃,記下該溫度下的電壓,電流,以歐母定律R=V/I求出電阻值。

 2、硅碳棒是在高溫下使用的,所以電爐所用硅碳棒的配阻都是以上述方法測(cè)得電阻值為依據(jù),用萬(wàn)用表測(cè)得的硅碳棒常溫電阻不能作為配阻依據(jù),因?yàn)楣杼及舻母邷睾统仉娮柚畣?wèn)沒(méi)有確定的關(guān)聯(lián)關(guān)系。

 3硅碳棒使用時(shí),單支直接接入電源的情況很少,一般是多支組合后接入電源,這稱(chēng)為配阻。電阻值允差應(yīng)<0.2Ω

 4、硅碳棒在使用過(guò)程中,會(huì)因緩慢氧化而使電阻值增大,這種現(xiàn)象叫做老化現(xiàn)象,棒體老化后會(huì)成爐溫降低,以致達(dá)不到升溫要求,這時(shí)可提高電壓,當(dāng)電壓調(diào)整到大值仍不能滿(mǎn)足升溫要求時(shí),可采用改變接線(xiàn)的方法來(lái)繼續(xù)提高電壓。因此,一般來(lái)講電爐都應(yīng)配有調(diào)壓設(shè)備,指示儀表和溫度控制裝置。

 5、硅碳棒安裝時(shí),棒在裝棒孔內(nèi)要有較大自由活動(dòng)余地,U型硅碳棒的安裝孔一般為元件冷端部直徑的1.5倍,且兩孔同心,孔與孔之間距離不小于元件直徑的3倍。元件端頭之間接線(xiàn)應(yīng)以軟線(xiàn)鏈接,元件與壁爐,被燒物的距離不小于元件直徑的2倍。否則,以免,爐子在熱變形過(guò)程造成斷棒。

 6、送電時(shí),電壓應(yīng)逐步加大,一般開(kāi)始時(shí)電壓為額定電壓的一半為宜,防止升溫過(guò)快,導(dǎo)致斷棒。切忌超負(fù)荷運(yùn)行。

 7在使用過(guò)程中,硅碳棒盡可能并聯(lián),如果硅碳棒阻值不同,串聯(lián)時(shí)電阻高的硅碳棒負(fù)荷集中,導(dǎo)致某一個(gè)硅碳棒電阻快速增加,壽命變短。因故斷棒或因老化需補(bǔ)裝新捧時(shí),一定耍注意配阻,以達(dá)到功率平衡。當(dāng)棒整體老化時(shí),是全部配阻換新棒,舊棒可待將來(lái)補(bǔ)換時(shí)再用。

 8、在使用過(guò)程中應(yīng)遵守電爐升溫規(guī)范緩慢升溫。嚴(yán)格控制棒體表面負(fù)荷。切忌超負(fù)荷運(yùn)行。下表是在相應(yīng)爐溫下允許的碳棒表面負(fù)荷(也稱(chēng)表面負(fù)荷密度)參數(shù)。

硅碳棒發(fā)熱部表面溫度

爐膛溫度(℃)

許大表面負(fù)荷(w/cm²)

1450

1000

31

1450

1100

24

1450

1200

21

1450

1250

18

1450

1300

14

1450

1350

10

1450

1400

6

 9新?tīng)t或從未使用的電爐(),在使用前必須先烘爐,烘爐時(shí)用舊捧或其他熱源,切勿用新棒烘爐。被加熱工件不能含有過(guò)高的水分,應(yīng)預(yù)先干燥,以免影響棒的壽命。如果新窯或長(zhǎng)時(shí)間沒(méi)使用的窯爐用要用舊棒進(jìn)行烘窯,切忌用新棒烘窯。

 10硅碳棒應(yīng)存放于干燥處,以防噴鋁部位受潮變黑。如果噴鋁變黑可用砂紙清除,再用夾子夾緊。

 11、硅碳棒系陶瓷產(chǎn)品,性脆,在運(yùn)愉、開(kāi)箱、安裝更換時(shí),要小心輕拿、輕放,以防打碎。

 12選用碳化硅電熱元件,必須保證元件的發(fā)熱部長(zhǎng)度不大于爐膛的寬度(U型硅碳棒發(fā)熱長(zhǎng)度不大于爐膛高度)。

 13連續(xù)使用,連續(xù)使用可以提高棒的壽命。

 14、在氫氣中使用,棒體會(huì)變脆縮短壽命。硅碳棒在不同氣氛下的使用溫度和表面負(fù)荷,元件的使用溫度因環(huán)境氣氛而定。

氣氛

爐溫(℃)

表面負(fù)荷

W/cm2

對(duì)元件的影響

解決辦法

1290

3.8

SiC作用生成甲烷減少SiO2保護(hù)膜

露點(diǎn)激活

CO?

1450

3.1

腐蝕碳化硅

用石英管保護(hù)

18%CO

1500

4.0

無(wú)影響

 

20%CO

130

3.8

吸附碳粒影響SiO2保護(hù)膜

 

鹵素

704

3.8

腐蝕碳化硅減少SiO2保護(hù)膜

用石英管保護(hù)

碳?xì)浠衔?/span>

1310

3.1

吸附碳粒致熱污染,分解的碳沉積,易造成電氣故障

送進(jìn)充分的空氣

1290

3.1

SiC作用反應(yīng)生成甲烷,減少SiC2保護(hù)膜

露點(diǎn)激活

甲烷

1370

3.1

吸附碳粒致熱污染

 

N

1370

3.1

SiC反應(yīng)形成氮化硅絕緣層

 

Na

1310

3.8

侵蝕碳化硅

用石英管保護(hù)

SO2

1310

3.8

侵蝕碳化硅

用石英管保護(hù)

真空

1204

3.8

  

1310

3.8

碳化硅被氧化

 

水(不同含量)

1090-1370

3.1-3.6

SiC作用生成硅的水化物

 

 15、硅碳棒與堿金屬、堿、硅酸鹽、硼化物等接觸會(huì)產(chǎn)生腐蝕,所以要避免他們與棒體接觸。
 16、接線(xiàn)應(yīng)與棒體冷端的鋁頭緊密接觸。

 17使用過(guò)程中,如發(fā)現(xiàn)斷裂或白炙現(xiàn)象,應(yīng)及時(shí)更新?lián)Q新棒,以免影響其他棒的使用壽命。

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